撥碼開關(guān)三星NAND內(nèi)存低于nm花
倫敦——三星電子有限公司已表示,它已經(jīng)開始制造64 gbit NAND內(nèi)存ICs使用soi類過程的技術(shù),這是用最小的幾何形狀介于10 -和19 nm制程。芯片在64年被賣——千兆字節(jié)嵌入式多媒體卡(eMMC),進(jìn)入生產(chǎn)上個月,三星的州。撥碼開關(guān)
10 nm類技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND還兼容64 gbit多層陶瓷與非使用2 x nm過程,三星在5月開始提供。然而,1 x納米設(shè)備制造業(yè)的勞動生產(chǎn)率提高了30%,三星說。
使用一個高速接口的eMMC以30%的優(yōu)勢在性能eMMC 4.5接口。新的高速eMMC將提交給該行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC,(聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會)收養(yǎng)作為一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)在2013年,三星說。撥碼開關(guān)
64 - 2000年千兆字節(jié)eMMC Pro類措施11.5毫米的13毫米,代表的大小會減少20%超過傳統(tǒng)的嵌入式內(nèi)存形式因素的12毫米,16毫米。這應(yīng)該援助設(shè)計在移動應(yīng)用程序哪里有欲望走向更苗條的設(shè)計。
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