撥碼開關(guān)威世Siliconix mosfet目標(biāo)無線設(shè)備
威世Intertechnology引入了新的12 v和20 v n溝道和p溝道m(xù)osfet TrenchFET權(quán)力與業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻在行業(yè)最小的CSP形式因素:0.8毫米×0.8×0.4毫米的微型腳包。
據(jù)該公司介紹,今天發(fā)布的設(shè)備將被用于電池或負(fù)荷開關(guān)在電源管理應(yīng)用程序?yàn)楸銛y式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。
場(chǎng)效應(yīng)管的緊湊的空間和提供概述拯救PCB超薄概要文件來啟用更苗條,更輕的便攜式電子產(chǎn)品,而他們的低電阻轉(zhuǎn)化為低傳導(dǎo)損失降低能耗和充電電池壽命更長。
這些設(shè)備的低電阻也意味著較低的電壓降穿過負(fù)荷開關(guān)來防止不必要的欠壓停擺。
第一次在這個(gè)形式因素,場(chǎng)效應(yīng)管是建立在一個(gè)超高密度的技術(shù),使用自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)過程技術(shù)包十億晶體管細(xì)胞到每平方英寸的硅。當(dāng)結(jié)合微腳的無封裝CSP技術(shù),這提供了最低的導(dǎo)通電阻可能對(duì)于一個(gè)給定的輪廓面積,聲稱威世。
對(duì)于n溝道設(shè)備,結(jié)果是一個(gè)43 mΩ最大在電阻在4.5 V的柵極驅(qū)動(dòng)的12 V Si8806DB。
當(dāng)一個(gè)20 V評(píng)級(jí)是必要的,Si8812DB提供了最大的59 mΩ上阻力。撥碼開關(guān)
n溝道設(shè)備的最適合高速開關(guān)應(yīng)用與快速開機(jī)/關(guān)閉時(shí)報(bào)的< 100 ns,如直流/直流升壓轉(zhuǎn)化器的應(yīng)用程序。
-20 V p溝道Si8817DB和Si8489EDB是優(yōu)化了巴克轉(zhuǎn)換器應(yīng)用程序。
76 mΩ最大在電阻在4.5 V的柵極驅(qū)動(dòng),較小的0.8毫米×0.8×0.4毫米Si8817DB將用于應(yīng)用程序空間更重要的導(dǎo)通電阻。撥碼開關(guān)
1毫米的Si8489EDB 1毫米的時(shí)候?qū)?huì)使用較低的54 mΩ最大在抵抗在4.5 V更關(guān)鍵。
Si8489EDB是第一個(gè)p溝道的第三代裝置在1毫米1毫米形式因素,它提供了2500 V典型ESD保護(hù)。
此外,Si8817DB提供在電阻評(píng)級(jí)降至1.5 V,允許設(shè)備來使用低電壓門驅(qū)動(dòng)器和較低的總線電壓共同在手持設(shè)備,節(jié)省空間和成本的水平將電路。
這些設(shè)備都符合RoHS指令2011/65 /歐盟和無鹵環(huán)保型按JEDEC JS709A定義。
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