滾珠開關(guān)研究人員推出20海里的圣誕樹的晶體管
研究人員發(fā)現(xiàn)了一種新設(shè)計(jì)的銦鎵砷化物晶體管,擴(kuò)展了這個(gè)概念的三維電路和也報(bào)道看起來像一棵圣誕樹。
“彼得”你們教授裴德來自普渡大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程和同事捏造了20納米晶體管從三個(gè)砷化銦鎵納米線,為更加緊湊的和有效的集成電路。滾珠開關(guān)
納米線是越來越小,產(chǎn)生一個(gè)錐形截面像一棵圣誕樹,研究建立在以往的工作中,團(tuán)隊(duì)創(chuàng)建了3 d晶體管陣列設(shè)計(jì)提供改進(jìn)的性能超過傳統(tǒng)的平面晶體管幾何圖形。
“彼得”教授裴德你們從普渡大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程滾珠開關(guān)說:“疊加[晶體管)導(dǎo)致更多的電流和更快的操作高速計(jì)算。這增加了一個(gè)全新的維度,所以我稱之為4 d”。
砷化銦鎵是在幾個(gè)iii v被研究以取代硅半導(dǎo)體。
低于22納米硅平面晶體管布局遇到嚴(yán)重的問題,而一個(gè)三維非設(shè)備制作一個(gè)材料如銦鎵砷化物應(yīng)該適合sub-10nm部分。
提高晶體管密度,研究小組還研究了一個(gè)新的復(fù)合絕緣子減少電流泄漏。滾珠開關(guān)
使用一個(gè)dieletric層只是4 nm厚的,由鋁酸鑭與0.5納米氧化鋁層沉積在上面,研究小組稱有捏造第一砷化銦鎵晶體管和20 nm蓋茨。
“這新的超薄介電允許我們創(chuàng)建晶體管由銦鎵砷化物,與20 nm蓋茨,這是一個(gè)里程碑”,補(bǔ)充說你們。“這是一個(gè)預(yù)覽的東西來,在半導(dǎo)體行業(yè)。”
一個(gè)圖像的晶體管不是可利用的。
•研究是電子設(shè)備舉行的國際會(huì)議在舊金山12月8 - 12
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