滾珠開關(guān)臺灣ReRAM嵌入在奈米制程產(chǎn)能邏輯過程
倫敦——能夠嵌入電阻RAM(ReRAM)進(jìn)入主流邏輯流程技術(shù)可能有重大影響,片上系統(tǒng)的設(shè)計(jì),和鑄造芯片制造商臺灣半導(dǎo)體制造公司正在密切關(guān)注新興的能力。滾珠開關(guān)
一種比較有趣的論文中列出的推進(jìn)計(jì)劃為2012年國際電子設(shè)備十二月的會議是由一個(gè)研究小組從國家清華大學(xué)(臺北,臺灣),也隸屬于臺積電。
抽象的論文,題為“高k金屬門接觸RRAM(CRRAM)在純奈米制程產(chǎn)能CMOS邏輯過程,”指出一個(gè)接觸RRAM(CRRAM)細(xì)胞已經(jīng)意識到在一個(gè)HKMG奈米制程產(chǎn)能CMOS邏輯過程不使用任何額外的掩蔽或流程步驟。這是通過使用一個(gè)由35 nm制接觸孔35 nm制。滾珠開關(guān)
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沒有額外的信息提前發(fā)布會上,但在線搜索揭示了清華研究小組先前曾與氧化鈦ReRAMs為基礎(chǔ),通常是在一個(gè)錫/優(yōu)化/二氧化硅多層結(jié)構(gòu)坐在基地的鎢接觸塞附加到下水道的一個(gè)傳統(tǒng)的平面MOSFET。
設(shè)計(jì)是特別緊湊相比其他類型的ReRAM數(shù)組和兼容常規(guī)邏輯制造流程。早在2010年,這個(gè)團(tuán)隊(duì)正致力于一種1 t-plus-1r ReRAM在90 nm CMOS邏輯和聲稱100萬讀寫周期耐力。
這個(gè)數(shù)量的內(nèi)存芯片包含在系統(tǒng)不斷發(fā)展,變得越來越負(fù)責(zé)大部分的電力消耗。該設(shè)施來保存數(shù)據(jù)在濃密的非易失性內(nèi)存,而不是在權(quán)力SoC消費(fèi)SRAM甚至幾個(gè)處理器周期——可以驅(qū)動(dòng)功率儲蓄在前沿的制造業(yè)。
事實(shí)上,CRRAM無需任何除了處理甲板表明一個(gè)潛在的容易引入芯片制造業(yè)。然而事實(shí)上,IEDM紙實(shí)質(zhì)上仍是學(xué)術(shù)和書面的存儲單元級別而不是在數(shù)組的水平表明,更多的研發(fā)是必須要做的。一個(gè)演示或投影的相當(dāng)高耐力也將是可取的。
本文還提出了一個(gè)主題觀看在另一個(gè)關(guān)鍵芯片收集、國際固態(tài)電路2月份會議。
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