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滾珠開關(guān)廠家威世m(xù)osfet承諾在阻力最低

最新的8 v和20 v n溝道和p溝道m(xù)osfet TrenchFET權(quán)力從威世Intertechnology都聲稱該行業(yè)的最低在抵抗。
1毫米的mosfet進(jìn)來由1毫米,直徑為0.55毫米和1.6毫米,直徑為1.6毫米,直徑為0.6毫米的CSP微腳包,和目標(biāo)電池或負(fù)荷開關(guān)在電源管理應(yīng)用程序?yàn)楸銛y式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。滾珠開關(guān)廠家
這些設(shè)備的低電阻意味著低電壓降穿過負(fù)荷開關(guān)可以防止不必要的低壓停擺。
應(yīng)用低電阻是更重要的空間,8 V n溝道Si8424CDB和- 20 V p溝道Si8425DB提供最大的20 mΩ上阻力和23 mΩ分別在4.5 V的柵極驅(qū)動(dòng)。滾珠開關(guān)廠家
提供的設(shè)備在1.6毫米,直徑為1.6毫米,直徑為0.6毫米的CSP包。43 mΩ與最大在電阻為4.5 V,較小的1毫米1毫米,直徑為0.55毫米的Si8466EDB 8 V n溝道MOSFET將用于應(yīng)用程序空間更重要的導(dǎo)通電阻。這個(gè)Si8466EDB還提供了3000 v典型ESD保護(hù)。滾珠開關(guān)廠家
這個(gè)Si8466EDB和Si8424CDB提供在電阻評(píng)級(jí)降至1.2 V,允許設(shè)備來使用低電壓門驅(qū)動(dòng)器和較低的總線電壓共同在手持設(shè)備,節(jié)省空間和成本的水平將電路。
這些設(shè)備都符合RoHS指令2011/65 /歐盟和無鹵環(huán)保型按JEDEC JS709A定義。

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