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量子躍遷的晶體管
2013年12月13日
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美國研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種新型晶體管,他們聲稱能夠快速和低功耗計算主機的應(yīng)用程序
稱為broken-gap附近隧道場效應(yīng)晶體管(TFET),新設(shè)備使用量子力學(xué)隧道效應(yīng)的電子通過一個超薄提供高電流低電壓的能量障礙。
賓夕法尼亞州立大學(xué),美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院和以專業(yè)晶圓制造商,共同提出了他們的研究成果在國際電子設(shè)備會議在華盛頓,華盛頓特區(qū)
根據(jù)賓夕法尼亞州立大學(xué),隧道場效應(yīng)晶體管被認(rèn)為是一個潛在的替代當(dāng)前的CMOS晶體管,設(shè)備制造商尋找方式繼續(xù)縮小晶體管的大小,包括更多的晶體管到特定區(qū)域。
目前的芯片技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)是,隨著規(guī)模減少,操作所需的功率晶體管不下降的一步。
結(jié)果中可以看到電池消耗更快,增加散熱,可以傷害脆弱的電子電路。
各種新類型的晶體管結(jié)構(gòu)使用材料以外的標(biāo)準(zhǔn)硅正在研究克服功耗的挑戰(zhàn)。
在一份聲明中作者和賓夕法尼亞州立大學(xué)研究生Bijesh Rajamohanan說:“這種晶體管以前已被在我們的實驗室開發(fā)的替代MOSFET晶體管邏輯應(yīng)用程序和解決電源問題。
在這個工作我們?nèi)コ揭徊?顯示在高頻率操作的能力,這是方便應(yīng)用電力問題至關(guān)重要,如處理和傳遞信息的從設(shè)備內(nèi)植入人體。
植入設(shè)備,產(chǎn)生過多的權(quán)力和熱會損害被監(jiān)控的組織,而耗盡電池需要頻繁的置換手術(shù)。
教授領(lǐng)導(dǎo)的研究人員,Suman學(xué)電氣工程,調(diào)整材料組成的砷化鎵/砷化鎵銦銻,能障是接近于零,或接近破碎的差距,使得電子隧道通過障礙時。
改善放大,研究人員所有聯(lián)系人轉(zhuǎn)移到同一架飛機頂部表面垂直的晶體管。
這個設(shè)備已經(jīng)開發(fā)成一個大程序的一部分由美國國家科學(xué)基金會通過納米系統(tǒng)先進的自供電的系統(tǒng)集成傳感器工程技術(shù)研究中心和技術(shù)(NERC-ASSIST)。
協(xié)助項目的更廣泛的目標(biāo)是發(fā)展battery-free body-powered耐磨健康監(jiān)測系統(tǒng)。
紙”,展示InGaAs / GaAsSb Broken-gap附近隧道場效應(yīng)晶體管與離子= 740µa /µm通用= 700µs /µm和千兆赫切換性能在VDS = 0.5 v,“將在會議論文集出版IEDM。
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