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四位撥碼開關(guān)優(yōu)質(zhì)的納米技術(shù)過程可以雙今天的磁盤驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)密度
優(yōu)質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室有兩個(gè)創(chuàng)新的納米技術(shù)相結(jié)合,能夠自組裝的分子和nanoimprinting——創(chuàng)建大面積密集模式的磁島只有一米的10/1000000000(10奈米)寬。
這些特點(diǎn)是只有大約50個(gè)原子的寬度和一些比人的頭發(fā)細(xì)100000倍。
“作為創(chuàng)造者的原始硬盤驅(qū)動(dòng)器,我們很自豪能夠繼續(xù)我們的創(chuàng)新傳統(tǒng)與今天的納米技術(shù)的進(jìn)步,”庫里說萬成,副總裁,優(yōu)質(zhì)的研究。“新興技術(shù)和nanoimprinting能夠自組裝的分子的利用在這項(xiàng)嶄新的實(shí)驗(yàn)室將有巨大的影響納米制造,使鉆頭花紋媒體成為一個(gè)具有成本效益的方式增加數(shù)據(jù)密度磁硬盤結(jié)束前的十年”。
嶄新的發(fā)現(xiàn)在毫微光刻克服增加挑戰(zhàn)與光刻有關(guān)。
長首選技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)較小的電路特性使用傳統(tǒng)先后校規(guī)波長的光,提高光學(xué)、面具、光敏材料和聰明的技術(shù)、光刻的進(jìn)步已經(jīng)放緩,因紫外線光源已變得過于復(fù)雜和昂貴。
今天的聲明表示一個(gè)創(chuàng)造性的解決問題,已經(jīng)長大了,光刻和存儲(chǔ)行業(yè)的獨(dú)特的技術(shù)和嚴(yán)格的成本目標(biāo)。
這些毫微光刻成績是在關(guān)鍵時(shí)刻為存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器作為云計(jì)算、社交網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)創(chuàng)造越來越多的內(nèi)容,必須有效地存儲(chǔ)、管理和訪問。
當(dāng)湯姆阿爾布雷特,嶄新的,解釋說,自組裝分子使用混合聚合物,稱為嵌段共聚物,由段,互相排斥。涂層作為薄膜在正確處理的表面,段線成完美的行。
聚合物片段的大小決定了行間距。在聚合物模式創(chuàng)建,一個(gè)老牌過程稱為線加倍使微小的特性更小,創(chuàng)建兩個(gè)單獨(dú)的線,一個(gè)之前就存在的。
這個(gè)模式是nanoimprinting再轉(zhuǎn)換成模板,一個(gè)精密沖壓過程轉(zhuǎn)移到芯片納米圖案或磁盤基片。一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)證明是準(zhǔn)備原始表面所以嵌段共聚物形成他們的模式和圓形路徑所需的徑向旋轉(zhuǎn)磁盤存儲(chǔ)。
大眾稱其是第一個(gè)結(jié)合自組裝分子,線對(duì)折nanoimprinting使矩形特征小至10納米在這樣一個(gè)圓形排列。
聲明提供了一個(gè)路線圖如何成本有效地創(chuàng)建磁島在密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的能力。
該位密度的嶄新的10納米模式是雙,今天的磁盤驅(qū)動(dòng)器和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試顯示優(yōu)秀的初始讀/寫和數(shù)據(jù)保留。當(dāng)擴(kuò)展到整個(gè)磁盤,nanoimprinting過程預(yù)計(jì)將創(chuàng)造超過一萬億個(gè)離散磁島。
“我們做了我們的超小功能,而無需使用任何常規(guī)光刻,”阿爾布雷特說。“用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)和表面的準(zhǔn)備,我們相信這個(gè)工作是可伸長的到更小尺寸。”
因?yàn)樽越M裝分子創(chuàng)建重復(fù)的模式,研究人員期望他們將最適合使鉆頭有圖案的磁性媒體對(duì)磁盤驅(qū)動(dòng)器,均勻間隔的地區(qū)為計(jì)算機(jī)記憶,各種接線點(diǎn)接觸和其他周期特性的其他類型的半導(dǎo)體芯片。
Nanoimprinting和自組裝分子也最容易引入缺陷寬容的應(yīng)用,如磁盤驅(qū)動(dòng)器或內(nèi)存,即使該行業(yè)的運(yùn)作方式完善技術(shù)要求更高的應(yīng)用程序。
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