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撥碼開關IC Insights:超過四分之一的晶圓產(chǎn)能致力于< 40 nm制程
超過四分之一的安裝晶片能力在全球范圍內(nèi)致力于生產(chǎn)集成電路設備使用過程幾何圖形(或特征尺寸)小于40 nm,IC Insights的報道。
業(yè)務分析師還指出,一個驚人數(shù)量的能力仍然致力于成熟過程與“大”的特征尺寸,在其最新的報告中,全球晶圓產(chǎn)能2013 -一個詳細的分析和預測的IC產(chǎn)業(yè)的晶圓工廠產(chǎn)能。
裝機容量分為六類基于最小幾何的過程用于晶圓。
六個類別的范圍從< 40 nm;≥40 - < 60海里;≥60 nm - < 80海里;≥80 nm - < 0.2µ;≥0.2µ- < 0.4µ;≥0.4µ。
2012年底,全球約27%的晶圓產(chǎn)能是設備在幾何圖形小于40 nm。
這些設備包括高密度DRAM,通常建造使用30 nm - 20 nm類過程技術(shù);高密度閃存設備是基于20 nm - 10納米類流程;和高性能微處理器和先進的ASIC / ASSP / FPGA設備基于32/28nm或22納米技術(shù)。
大約22%的全球能力致力于≥80 nm - < 0.2µ段,包括90海里,0.13,和0.18µµ過程代——“成熟”的過程,廣泛采用純代包括臺積電、聯(lián)電、GlobalFoundries,中芯國際,TowerJazz制造范圍廣泛的產(chǎn)品,他們的不同的客戶基地。
最常見的技術(shù),至少在術(shù)語的總裝機容量的份額,是幾何圖形之間的80 nm和60 nm(基本上65海里一代)和在0.4和0.2µµ(本質(zhì)上是0.25µ和0.35µ代)。
然而,值得注意的是,> 0.4µ類別保持一個相當大的份額,總?cè)萘?即使它已經(jīng)超過15年0.5µ過程技術(shù)被認為是領先的。
主要原因是大量的商品類型設備如標準模擬和通用的邏輯與成熟技術(shù)制造過程有較大的然后0.4µ特征尺寸。此外,高壓集成電路產(chǎn)品需要大型幾何過程的技術(shù)。
三星、英特爾、東芝/ SanDisk,SK海力士,微米持有的最大數(shù)量的前沿的能力。
最大的能力持有者在大型功能流程類別(> 0.2µ)由幾個模擬和混合信號芯片供應商,包括圣微,臺積電、鈦和英飛凌。
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