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TriQuint提供新的GaN amplifers、晶體管和過程滾珠開關(guān)
TriQuint半導(dǎo)體宣布15個新的氮化鎵(GaN)放大器、晶體管以及兩個新的GaN流程。
這些產(chǎn)品提供性能、尺寸和耐久性的優(yōu)勢為通信、雷達(dá)和國防射頻系統(tǒng)。
詹姆斯·l·克萊恩,副總裁和總經(jīng)理對基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品、評論說甘的性能優(yōu)勢現(xiàn)在更接近射頻制造商由于TriQuint的擴(kuò)張的過程和產(chǎn)品解決方案。
Strategy Analytics指出研究員預(yù)計增長顯著GaN。“雖然防守依然是最大的收入來源,基礎(chǔ)設(shè)施是GaN快速增長。坐在com、電力和有線電視都在更高的收入。戰(zhàn)略分析預(yù)測市場會越來越GaN微電子設(shè)備超過34%的復(fù)合增長率將由大約186美元,到2015年,”埃里克說,主任海厄姆半導(dǎo)體實踐。
TriQuint的原始季度微米過程現(xiàn)在是由一個高電壓變異補充,TQGaN25HV。新流程擴(kuò)展排水工作電壓0.25微米的氮化鎵48 v同時提供更高的擊穿電壓、更大的功率密度和高增益的dc - 10 GHz的應(yīng)用程序。
這些優(yōu)勢使更堅固耐用的設(shè)備可以承受電壓駐波比不匹配,可能會破壞其他電路同時提供更多的射頻輸出功率。
一個新的TriQuint而設(shè)計的產(chǎn)品,這個過程是T1G4012036-FS / FL,120 w打包晶體管為雷達(dá)和基礎(chǔ)設(shè)施。它是近三分之二小于類似LDMOS設(shè)備。
TriQuint已經(jīng)采取GaN技術(shù)新的極限第三過程,TQGaN15。它將頻率范圍的氮化鎵40 GHz而提供高功率密度和低噪聲性能。
這個0.15微米碳化硅工藝上GaN用來創(chuàng)建TriQuint的新TGA2594(5 w)和TGA2595(10 w)ka波段VSAT地面終端放大器。
他們已經(jīng)高達(dá)35%,三次PAE小于可比砷化鎵(砷化鎵)解決方案。
TriQuint的產(chǎn)品組合的新GaN解決方案還包括直接向董事會TAT9988 MMIC放大器為有線電視、光纖到戶(FTTH)光學(xué)網(wǎng)絡(luò)。
它是由第二代的原始TQGaN25 TriQuint的過程。根據(jù)公司的TAT9988引領(lǐng)行業(yè)的增益、復(fù)合變形性能和表面安裝方便。
TriQuint的擴(kuò)大范圍的氮化鎵創(chuàng)新是由其綜合大會表揚服務(wù),包括模水平設(shè)備包裝、x射線和測試。TriQuint也是一個國防部認(rèn)可“可信源對贛江和砷化鎵,包括后處理測試和包裝服務(wù)。
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