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為縮小電子半導(dǎo)體原子耳機插座
北卡羅萊納州立大學(xué)的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種新技術(shù)來創(chuàng)建高質(zhì)量的半導(dǎo)體薄膜在原子尺度。
該技術(shù)可用于創(chuàng)建薄膜規(guī)模足夠大,外套是2英寸寬圓片,或更大。
“這可能是用于縮放當前半導(dǎo)體技術(shù)到原子尺度-激光、發(fā)光二極管(led),電腦芯片,任何東西,”曹博士說,助理麟游3個縣,材料科學(xué)與工程教授數(shù)控狀態(tài)和資深作者的一篇論文的工作。
研究人員曾與硫化鉬(二硫化鉬),一個半導(dǎo)體材料與電子和光學(xué)性質(zhì)類似于材料已經(jīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)。二硫化鉬是不同于其他半導(dǎo)體材料,因為它可以生長在一個原子厚層在不影響其性能。
在新技術(shù),研究人員地方硫和氯化鉬粉在爐和提高溫度到850°C,汽化的粉。這兩種物質(zhì)在高溫下反應(yīng)形成二硫化鉬。雖然仍在高的溫度,蒸汽然后放置在一個薄層到襯底。
“我們成功的關(guān)鍵是開發(fā)一種新的增長機制,一個自我限制增長,“曹在一份聲明中說。研究人員可以精確管理的厚度層二硫化鉬通過控制局部壓力和蒸汽壓力在爐。分壓是原子或分子的傾向懸浮在空氣中凝結(jié)成固體和解決到襯底。蒸汽壓力是不勞而獲的固體原子或分子在襯底蒸發(fā),上升到空中。
創(chuàng)建一個層二硫化鉬在襯底,局部壓力必須高于蒸汽壓力。分壓越高,越層二硫化鉬會沉入杯底。如果分壓高于蒸汽壓力僅有一層原子在襯底,但不高于蒸汽壓力的兩層之間的平衡分壓和蒸汽壓力可以確保薄膜生長自動停止一旦形成單層的。曹稱之為“自限性”增長。
分壓是由調(diào)整量的氯化鉬在爐——鉬在爐,較高的部分壓力。
使用這種技術(shù),我們可以創(chuàng)建圓片規(guī)模二硫化鉬單層薄膜,一個原子厚的,每次,”曹說。我們也可以生產(chǎn)層,兩個,三個或四個原子厚。”
曹操的團隊正在努力尋找新的方法來創(chuàng)建類似的薄膜中的每個原子層是由不同的材料。曹,他已經(jīng)申請專利的新技術(shù),也致力于創(chuàng)建場效應(yīng)晶體管和led的使用方法。
摘要“控制可伸縮的、高質(zhì)量的合成均勻和幾層單層二硫化鉬的電影,已經(jīng)發(fā)表在科學(xué)報告。
該論文的第一作者是NC州立大學(xué)博士Yifei玉。的合著者是春李博士,博士后研究員前數(shù)控狀態(tài);易Liu實驗室經(jīng)理在數(shù)控狀態(tài);Liqin蘇博士和勇張的北卡羅萊納大學(xué)夏洛特。這項研究是由美國陸軍研究辦公室。http://www.zzycbxg.cn |
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