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深圳DC插座Imec展示7海里和5海里FinFETs
Imec顯示三維翅片形狀的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFETs)和高流動(dòng)性渠道擴(kuò)展為7海里和5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
這個(gè)總部微電子研究中心公布了第一個(gè)緊張鍺設(shè)備基于si替換過程,通用電氣/鍺硅量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)是增長(zhǎng)了epitaxially取代傳統(tǒng)硅基長(zhǎng)波長(zhǎng)光電淺槽隔離(STI)。
該公司估計(jì)這項(xiàng)技術(shù)允許高度通用異構(gòu)材料集成了Si,最終領(lǐng)導(dǎo)和未來異構(gòu)FinFET /納米線設(shè)備。
Imec聲稱這臺(tái)設(shè)備顯示顯著優(yōu)越的門可靠性(NBTI)在Si通道設(shè)備由于獨(dú)特的能帶結(jié)構(gòu)的compressively-strained通用頻道。
“我們正面臨重大挑戰(zhàn)的規(guī)模對(duì)7納米MOSFET架構(gòu)和5海里。除了尺寸比例,提高設(shè)備性能,面對(duì)不斷上升的寄生現(xiàn)象和權(quán)力,是一個(gè)主要的焦點(diǎn)在imec的邏輯設(shè)備的研究,”亞倫說,邏輯器件Thean imec項(xiàng)目主任。“在關(guān)鍵活動(dòng)是研發(fā)努力調(diào)查兩個(gè)高機(jī)動(dòng)通道材料和新方法增強(qiáng)硅基長(zhǎng)波長(zhǎng)光電FinFET的。”
與期權(quán)引入異質(zhì)結(jié)構(gòu)到下一代FinFET,量子阱頻道基于材料的組合,同時(shí)提高機(jī)動(dòng)性和靜電學(xué),可以改造。
Imec也被模擬材料組合的硅、鍺硅、通用電氣和iii v頻道提高裝置靜電學(xué),提供重要的過程指導(dǎo)擴(kuò)展FinFET的可伸縮性。
該中心的小說和高度可伸縮的工程方法來調(diào)整workfunction承諾改善移動(dòng)門,噪聲和可靠性在Si nMOS finFETs。
Imec的研究下一代finFETs進(jìn)行合作的關(guān)鍵伙伴Imec在其核心CMOS程序包括GLOBALFOUNDRIES、英特爾、微米、松下、三星、臺(tái)積電,爾必達(dá),SK海力士,富士通和索尼。深圳DC插座http://www.zzycbxg.cn |
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