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重慶耳機(jī)插座紅外輻照功率mosfet揭示R8
國(guó)際整流器啟動(dòng)了兩個(gè)高性能R8輻射功率mosfet輻照空間優(yōu)化級(jí)荷載點(diǎn)(POL)電壓調(diào)節(jié)器的應(yīng)用程序。
新R8邏輯電平功率場(chǎng)效應(yīng)管利用槽技術(shù)提供極低的開態(tài)電阻(RDS())的12 milliohms(典型的)和總閘極電荷(成功之路上)18數(shù)控(典型的),增加效率性能高達(dá)6%,相比現(xiàn)有的解決方案。
這個(gè)設(shè)備有一個(gè)IRHLNM87Y20SCS BVDSS評(píng)級(jí)的20 v和最大漏電流(ID)評(píng)級(jí)的17一個(gè)。新的設(shè)備可以在紅外的新SMD表面貼裝0.2風(fēng)格包,實(shí)現(xiàn)50%的節(jié)約空間比現(xiàn)有的SMD 0.5包解決方案。這些設(shè)備也提供一個(gè)到39包或模形式的微電路設(shè)計(jì)方案。
“提供業(yè)界領(lǐng)先的性能在最小的足跡,和優(yōu)化設(shè)計(jì),紅外新波爾mosfet輻照的R8滿足航天工業(yè)的需要減少總體系統(tǒng)的尺寸和重量,提高效率,”說Bussarakons Tiva,營(yíng)銷總監(jiān),紅外的HiRel業(yè)務(wù)單元。
產(chǎn)品的完整描述的輻射性能到300 krads TID和看到的與讓81電子伏c(diǎn)m2 / mg vg評(píng)級(jí)的12 v。根據(jù)既定設(shè)計(jì)軌道和預(yù)期的輻射環(huán)境,R8可能適合mosfet輻照對(duì)應(yīng)用程序需要一個(gè)任務(wù)生活15年以上。
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