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吉林撥碼開關(guān)小說電阻存儲器可以取代flash”
一個團隊,她在加州大學(xué)河畔分校伯恩斯工程學(xué)院的已經(jīng)開發(fā)了一個新的方式來構(gòu)建許多認為下一代的內(nèi)存存儲設(shè)備為便攜式電子設(shè)備。
該設(shè)備是基于原則的電阻存儲器,用來創(chuàng)建內(nèi)存細胞小,運行在更高的速度和提供更多的存儲容量比閃存細胞,目前的行業(yè)標準。
根據(jù)一項聲明,關(guān)鍵的進步,在加州大學(xué)河濱分校的研究建立一個氧化鋅納米島在硅,不需要第二個元素稱為選擇器裝置,它通常是一個二極管。
“這是一個重要的步驟是電子工業(yè)正考慮大規(guī)模采用電阻存儲器作為替代閃存,”劉說Jianlin,電氣工程教授在加州大學(xué)河濱分校作者之一、一篇論文的詳細研究在科學(xué)報告。“這確實簡化了這個過程,降低了制造成本。
閃存的標準在電子工業(yè)幾十年。但是,正如閃光繼續(xù)變小和用戶想要更高的存儲容量,它似乎接近尾聲時,其壽命,劉在一份聲明中說。
電阻式存儲器是接收重要的注意力從學(xué)術(shù)界和電子行業(yè),因為它有一個簡單的結(jié)構(gòu),高密度集成、運行速度快,長耐力。研究人員還發(fā)現(xiàn),電阻存儲器可以縮減在子10納米尺度。
電阻性記憶通常有一個金屬氧化物金屬結(jié)構(gòu)聯(lián)結(jié)在一個選擇器裝置。加州大學(xué)河濱分校的團隊已經(jīng)展示了一種新穎的替代方式,形成自組裝氧化鋅納米群島在硅。
使用導(dǎo)電原子力顯微鏡,研究人員觀察到三種操作方式從相同的器件結(jié)構(gòu),基本上不再需要一個單獨的選擇器裝置。
摘要-多模電阻開關(guān)在單一的氧化鋅Nanoisland系統(tǒng)——是由靜氣,前訪問學(xué)者劉的實驗室,現(xiàn)在蘭州大學(xué)副教授在中國;Olmedo馬里奧,他拿到了他的博士學(xué)位,現(xiàn)在在加州大學(xué)河濱分校工作,和劍郭英特爾鄭,實驗室主任,電子和x射線儀器在加州大學(xué)歐文分校。
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