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介紹了CMOS雙數(shù)據(jù)聯(lián)盟內(nèi)存速度同步dram鳳崗撥碼開關(guān)
發(fā)布者: 發(fā)布時(shí)間:2013/9/22 0:56:08 閱讀:

介紹了CMOS雙數(shù)據(jù)聯(lián)盟內(nèi)存速度同步dram鳳崗撥碼開關(guān)

 

聯(lián)盟內(nèi)存已經(jīng)引入了一個(gè)新的行高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步dram(DDR1 SDRAM)與傳統(tǒng)的64 Mb(AS4C4M16D1),128 Mb(AS4C8M16D1),256 Mb(AS4C16M16D1),和512 Mb(AS4C32M16D1)。

這些設(shè)備提供可靠的不速之客,銷,銷兼容替代很多類似的解決方案在醫(yī)學(xué)、通訊、工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品要求高內(nèi)存帶寬,他們特別適合于高性能PC應(yīng)用程序。

在內(nèi)部配置為四家銀行的1米,2米,4米或字x 16位與同步接口,SDRAMs DDR1操作從一個(gè)+ 2.5 V(±0.2 V)供電和鉛)和無(wú)鹵。

這個(gè)AS4C4M16D1,AS4C8M16D1,AS4C16M16D1,AS4C32M16D1特性快速時(shí)鐘速率為200 MHz,商業(yè)溫度范圍0°C到70°C,并提供66 -銷TSOP II包和0.65毫米腳距。

SDRAMs DDR1的提供可編程讀或?qū)懫屏验L(zhǎng)度為2、4或8。

一個(gè)自動(dòng)預(yù)充電功能提供了一個(gè)山頂行預(yù)充電發(fā)起最后的爆發(fā)序列。

易于使用的刷新功能包括自動(dòng)或自我刷新而可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最合適的模式來(lái)最大化性能。

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