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MOSFET削減能源消耗在智能手機
一個新的功率MOSFET,有助于降低功耗,延長電池的使用智能手機、平板電腦、可穿戴設備和高端筆記本電腦是由威世今天公布的根本。
新chipscale微腳p溝道Si8457DB提供了業(yè)界最低的阻力在1.8 V任何MOSFET柵極驅(qū)動1.6毫米,1.6毫米的足跡,是唯一這樣的設備與vg =±8 V評級,它提供了一個額外的安全邊際的鋰離子電池驅(qū)動的應用程序。
設計用于電池開關和負荷開關電源管理應用程序,19 mΩSi8457DB特性導通電阻的-4.5 V,23.4 mΩ23.4 V,35 mΩ-1.8 V。
相比之下,下一個最好的設備DFN 1.6毫米平方包,評級為-1.8 V代表17%的改善。
設備的低導通電阻,評級降至-1.8 V,和±8 V vg提供安全裕度、柵極驅(qū)動設計的靈活性,對于大多數(shù)鋰離子電池驅(qū)動的應用程序和高性能。
Si8457DB達到其產(chǎn)業(yè)界首次能力每地區(qū)由于其極低的導通電阻,使空間節(jié)省,同時還有助于降低電池功耗為移動應用程序。設備的低導通電阻意味著一個非常低的電壓降在直流和脈沖峰值電流,因此減少電力浪費熱量。
設備的導通電阻評級為-1.8 V簡化了滿足設計要求的任務,如適應低電池條件下或集成電路負載了gate-to-source電壓。
Si8457DB關鍵構件在為移動電源管理一個有效的負荷開關。作為一個p溝道MOSFET的明顯的優(yōu)勢能夠打開,沒有要求的電荷泵電路設計,它可以直接與大量的電源管理和控制器集成電路從不同的供應商。
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