紅外汽車mosfet自夸基準(zhǔn)性能
國(guó)際整流器啟動(dòng)AUIRFN8459,AUIRFN8458 40 v automotive-qualified COOLiRFET功率場(chǎng)效應(yīng)管提供基準(zhǔn)開態(tài)電阻(RDS(上))為汽車應(yīng)用程序要求緊湊的尺寸和大電流性能包括泵電動(dòng)機(jī)控制和汽車車身控制。
AUIRFN8459和AUIRFN8458第一家庭的automotive-qualified 5 x6mm雙重PQFN基于紅外最先進(jìn)的功率mosfet COOLiRFET 40 v槽技術(shù)。
AUIRFN8459達(dá)到超低5.9莫姆Rds(每個(gè)通道)50基準(zhǔn)性能和高載流能力。
“AUIRFN8459 AUIRFN8458 40 v 5 x6mm雙重PQFN COOLiRFET設(shè)備提供超過50%的大小減少與傳統(tǒng)相比DPAK(- 252)包,超低包電阻和電感和基準(zhǔn)Rds(上),使它們適合12 v傳統(tǒng)汽車的應(yīng)用程序需要更高的效率和功率密度以及空間儲(chǔ)蓄等電機(jī)控制,“Jifeng秦說,產(chǎn)品經(jīng)理,汽車場(chǎng)效應(yīng)管、紅外的汽車產(chǎn)品業(yè)務(wù)單元。
新5 x6mm雙重PQFN COOLiRFET設(shè)備還提供了一個(gè)低PCB熱路徑和重要的熱性能改善相比,所以8包來提供更高的效率,提高功率密度和整體系統(tǒng)級(jí)成本節(jié)約。
紅外的汽車場(chǎng)效電晶體受到動(dòng)態(tài)和靜態(tài)部分自動(dòng)化晶圓級(jí)測(cè)試結(jié)合100%目視檢查作為紅外的汽車質(zhì)量倡議的一部分針對(duì)零缺陷。AEC-Q101資格要求有不超過20%的Rds(上)1000年之后溫度周期變化的測(cè)試。
新設(shè)備是根據(jù)AEC-Q101合格標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保特性,無鉛,通過無鉛認(rèn)證材料清單。
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