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威世第一次與600 v mosfet
威世根本引入了前兩個(gè)設(shè)備在其新600 V EF系列快速體二極管n溝道m(xù)osfet力量。
反向恢復(fù)電荷和較低的導(dǎo)通電阻,威世Siliconix SiHx28N60EF SiHx33N60EF增加可靠性和節(jié)省能源工業(yè)、電信、計(jì)算、和可再生能源的應(yīng)用。
基于第二代超級(jí)結(jié)技術(shù),今天發(fā)布的600 V快速體二極管場(chǎng)效電晶體提供了一個(gè)補(bǔ)充威世的現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)E系列組件,擴(kuò)大公司的提供的設(shè)備可以用在零電壓開關(guān)(零電壓)/軟開關(guān)拓?fù)湎嘁频葮蛄汉蚅LC轉(zhuǎn)換器一半的橋梁。
SiHx28N60EF和SiHx33N60EF增加可靠性在這些應(yīng)用程序提供了一個(gè)反向恢復(fù)電荷(Qrr)10倍低于標(biāo)準(zhǔn)的mosfet。這允許設(shè)備恢復(fù)塊完整的擊穿電壓的能力更快,有助于避免失敗從射穿和熱負(fù)荷。此外,減少Q(mào)rr導(dǎo)致較低的反向恢復(fù)的損失相比,標(biāo)準(zhǔn)的mosfet。
提供四個(gè)包,28 SiHx28N60EF SiHx33N60EF功能極低的導(dǎo)通電阻和33 123Ω和98Ω,分別和低門。這些值轉(zhuǎn)化為極低的傳導(dǎo)和節(jié)約能源在大功率開關(guān)損失,高性能開關(guān)模式應(yīng)用,包括太陽能逆變器、服務(wù)器和電信電力系統(tǒng),ATX /銀盒子PC smp,焊接設(shè)備、UPS、電池充電器、半導(dǎo)體資本設(shè)備,領(lǐng)導(dǎo)和HID照明。
設(shè)備被設(shè)計(jì)成能抵抗高能脈沖雪崩和變換模式,保證通過100%的ui測(cè)試的限制。場(chǎng)效應(yīng)管是通過無鉛認(rèn)證和無鹵。 |
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