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聯(lián)盟的內(nèi)存顯示快速CMOS DDR SDRAMs
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2014/3/23 20:57:59 閱讀:

聯(lián)盟的內(nèi)存顯示快速CMOS DDR SDRAMs

 

 

聯(lián)盟的記憶也引入了一個新的高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步dram而言(DDR SDRAM)密度的64 Mb(AS4C4M16D1-5TIN),128 Mb(AS4C8M16D1-5TIN),256 Mb(AS4C16M16D1-5TIN),和512 Mb(AS4C32M16D1-5TIN)的工業(yè)溫度范圍-40°C + 85°C。

設(shè)備提供可靠的不速之客,pin-for-pin-compatible替代的類似的解決方案在工業(yè)、醫(yī)療、通信、電信產(chǎn)品要求高內(nèi)存帶寬,它們特別適合于高性能PC應(yīng)用程序中。內(nèi)部配置為四家銀行的1米,2米,4米,或8米字x 16位同步接口,DDR SDRAMs操作從一個+ 2.5 V(±0.2 V)供電,鉛(Pb)和無鹵。

AS4C8M16D1-5TIN,AS4C4M16D1-5TIN AS4C16M16D1-5TIN,AS4C32M16D1-5TIN特性快速提供時鐘頻率200 MHz和66 -銷TSOP二包0.65 -mm銷。128、256 Mb和512 Mb的設(shè)備也可以在TFBGA包。DDR SDRAMs提供可編程讀或?qū)懫屏验L度的2、4、8。汽車pre-charge函數(shù)提供了一個山頂行pre-charge發(fā)起最后的序列。易于使用的功能包括自動刷新或self-refresh而可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最合適的模式,從而最大限度地提高性能。

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