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英飛凌揭示OptiMOS快速二極管200 v和250 v
英飛凌科技公布了OptiMOS FD 200 v和250 v,最新一代的功率mosfet優(yōu)化身體二極管整流。
設(shè)備承諾設(shè)備強度高,低電壓過沖和反向恢復(fù)損耗降低,給最高系統(tǒng)可靠性尤其是硬切換應(yīng)用程序如電信系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電動機控制(48 - 110 v系統(tǒng))和DC / AC逆變器。
OptiMOS FD 200 v和250 v實現(xiàn)問rr相比減少40%標(biāo)準OptiMOS 200 v和250 v。這意味著系統(tǒng)可靠性的一個重要飛躍通過降低電壓超調(diào),從而最小化需要緩沖電路。
“再次,英飛凌使得邊界在200 v和250 v電壓進一步類。設(shè)置新標(biāo)準是讓我們前進。OptiMOS FD的家庭我們繼續(xù)利用的成功路徑切換性能。這最新一代的功率mosfet節(jié)省客戶工程造價和設(shè)計工作特別是在硬切換應(yīng)用程序,“高級主管Richard Kuncic說系統(tǒng)直流/直流英飛凌科技。
場效電晶體顯示改善硬變換強度,因此可以像更高更苛刻的條件下使用dv / dt,di / dt和電流密度相比,現(xiàn)有的200 v和250 v技術(shù)市場。這個結(jié)果在一個易于使用的設(shè)計過程簡單。
此外設(shè)備提供高達45%的開態(tài)電阻(R DS(上))以及65%品質(zhì)因數(shù)(FOM)減少而替代設(shè)備導(dǎo)致最高效率和功率密度。
OptiMOS FD 200 v組合由D²PAK R DS(11.7)mΩ并與R DS - 220(上)12 mΩ。OptiMOS FD 250 v組合包括與R DS - 220(上)22 mΩ。
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