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威世公布第一150 V n溝道MOSFET PowerPAK
威世根本已經(jīng)制造出了最早的150 V n溝道MOSFET的緊湊、熱增強PowerPAK sc - 70包。
提供該行業(yè)的最低on-resistance 10 V 2毫米的2毫米足跡,威世的Siliconix SiA446DJ旨在提高效率減少傳導和切換損失在一個廣泛的空間受限的應用程序。
primary-side切換的SiA446DJ優(yōu)化隔離直流/直流轉換器,提高轉換器的LED背光,和同步整流和負載開關電源管理應用程序的權力在以太網(wǎng)(坡)PD開關、DC / DC電信磚,和便攜式電子設備。
對于這些應用,PowerPAK sc - 70是55%小于3毫米2.8毫米TSOP-6包,同時提供熱阻低40%。
建立在ThunderFET技術,最大177 mΩon-resistance SiA446DJ提供低10 V,185 mΩ7.5 V,和250年mΩ6 V . 10 V,設備的on-resistance 53%低于一代設備TSOP-6包中,而其典型on-resistance次閘極電荷靈敏值10 V是提高效率低54%。
此外,SiA446DJ提供on-resistance低于26%的最新競爭設備3毫米,2.7毫米SOT-23包。
擴展威世中壓mosfet的組合緊湊、熱增強包,SiA446DJ加入之前公布的100 V SiA416DJ PowerPAK sc - 70和100 V SiB456DK PowerPAK sc - 75。設備是RoHS-compliant,RG - UIS-tested無鹵和100%。
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