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氮化鎵在SiC晶體管提供63%的效率
發(fā)布者: 發(fā)布時(shí)間:2014/9/3 10:08:04 閱讀:

氮化鎵在SiC晶體管提供63%的效率

 

射頻和微波產(chǎn)品供應(yīng)商,MACOM引入了一個(gè)新的GaN SiC HEMT脈沖功率晶體管系列民用和軍用雷達(dá)脈沖的應(yīng)用程序。

 

magx - 000035 - 015000和magx - 000035 - 01500年代gold-metalized無與倫比的氮化鎵在碳化硅功率晶體管優(yōu)化各種射頻功率放大器的應(yīng)用程序。設(shè)備提供了一個(gè)典型的17 W峰值輸出功率為15.5 dB的功率增益和63%的效率。這些高性能晶體管組裝使用最先進(jìn)的晶圓制造過程和提供高增益、效率、帶寬、和強(qiáng)度對(duì)今天的多倍頻程帶寬要求的應(yīng)用程序的需求。

 

“新甘15 W峰值功率晶體管脈沖驅(qū)動(dòng)程序提供了一個(gè)通用的和高性能解決方案和電力應(yīng)用程序在一個(gè)廣泛的頻率范圍內(nèi),“保羅·比阿斯說產(chǎn)品經(jīng)理。“設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)級(jí)MACOM更高的功率晶體管GaN l波段和s波段脈沖雷達(dá)應(yīng)用。”

 

操作的dc - 3.5 GHz頻率范圍,設(shè)備高度健壯的晶體管高電壓故障和擁有600年的平均失效到達(dá)時(shí)間。產(chǎn)品都提供一個(gè)增強(qiáng)的法蘭,銅/ W和無凸緣的,銅陶瓷外殼,提供優(yōu)良的熱性能。

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