|
高速CMOS DDR sdram啟動
聯(lián)盟記憶引入了新的高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步dram而言(DDR SDRAM)密度的256 Mb(AS4C32M8D1),512 Mb(AS4C64M8D1),和1 Gb(AS4C64M16D1)60-ball 8 mm由13毫米1.2毫米TFBGA包和66 -銷TSOP二包,0.65毫米銷。
設(shè)備提供可靠的不速之客,pin-for-pin-compatible替代的類似的解決方案在工業(yè)、醫(yī)療、通信、電信產(chǎn)品要求高內(nèi)存帶寬,它們特別適合于高性能PC應(yīng)用程序中。AS4C32M8D1,AS4C64M8D1,AS4C64M16D1內(nèi)部配置為四家銀行32 m x 8位,64字x 8位,分別和64字x 16位。DDR sdram提供同步接口,操作從一個+ 2.5 V(±0.2 V)電源、鉛(Pb)和無鹵。
AS4C64M8D1,AS4C32M8D1 AS4C64M16D1特性快速的時鐘頻率200 MHz和166 MHz,提供在商業(yè)(0°C + 70°C)和工業(yè)+ 85°C(-40°C)的溫度范圍。DDR sdram提供可編程讀或?qū)懫屏验L度的2、4、8。汽車pre-charge函數(shù)提供了一個山頂行pre-charge發(fā)起最后的序列。易于使用的功能包括自動刷新或self-refresh,而可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最合適的模式,從而最大限度地提高性能。
之外的AS4C32M8D1、AS4C64M8D1 AS4C64M16D1其投資組合,聯(lián)盟的記憶現(xiàn)在提供了一個廣泛的DDR sdram陣容,密度64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb,和1 Gb。聯(lián)盟內(nèi)存的客戶,通過提供長期支持臨終消除昂貴的重新設(shè)計(EOL)組件。此外,該公司不執(zhí)行死收縮,從而使工程資源。
震動開關(guān)http://www.zzycbxg.cn |
當(dāng)前位置: