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理查森RFPD襪離散GaN射頻功率晶體管
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2015/5/30 15:19:57 閱讀:

理查森RFPD襪離散GaN射頻功率晶體管

 

理查森RFPD宣布的可用性和完整的設(shè)計支持功能一個新的離散GaN SiC HEMT TriQuint / Qorvo。

 

55 w(P3dB)T2G4005528-FS運作從直流到3.5 GHz和構(gòu)造TriQuint的TQGaN25生產(chǎn)工藝,以先進的場板技術(shù)優(yōu)化功率和效率在高流失偏見操作條件。這種優(yōu)化可以降低系統(tǒng)成本的減少放大器的陣容和降低熱管理成本。

 

新設(shè)備是適合軍用和民用雷達、專業(yè)和軍事無線電通信,測試儀器,寬帶和窄帶放大器,干擾機的應(yīng)用程序。

 

根據(jù)TriQuint / Qorvo,額外的T2G4005528-FS的關(guān)鍵特性包括:

 

輸出功率(P3dB):在3.3 GHz 64 w

 

線性增益:在3.3 GHz 16分貝

 

工作電壓:28 v

 

低的熱阻包

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