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集成漸變LTE-Advanced啟動(dòng)
本公司將信道衰落仿真集成到其4 g LTE-Advanced信號(hào)測(cè)試儀,MD8430A。新的數(shù)字基帶衰落選項(xiàng)MD8430A轉(zhuǎn)換為一個(gè)功能全面的衰落模擬器支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3 gpp-defined衰落的概要文件。
MD8430A衰落選項(xiàng)可以結(jié)合MD8430A,切割需要額外的硬件投資執(zhí)行信號(hào)在現(xiàn)實(shí)的射頻(RF)條件下測(cè)試。這是第一個(gè)LTE-Advanced與內(nèi)置的衰落信號(hào)解決方案支持4 x4 MIMO下行配置。
高大的結(jié)構(gòu),如建筑物和樹(shù)木,反射和散射傳播的無(wú)線(xiàn)電波,實(shí)際上這意味著接收機(jī)接收多個(gè)多路徑的原始信號(hào)到達(dá)不同的優(yōu)勢(shì),和方向。LTE-Advanced的一個(gè)關(guān)鍵特性是多輸入多輸出(MIMO)天線(xiàn)系統(tǒng),提高設(shè)備的性能,利用多路徑。MIMO等測(cè)試設(shè)備,多徑衰落效應(yīng)必須準(zhǔn)確地適用于每一個(gè)天線(xiàn)可再生的方式。
使用內(nèi)部數(shù)字基帶處理,在測(cè)試執(zhí)行MD8430A適用于多路徑效應(yīng),快速測(cè)試設(shè)計(jì)人員(RTD)軟件為測(cè)試人員提供了一個(gè)集成環(huán)境創(chuàng)建和運(yùn)行衰落仿真測(cè)試。支持LTE-Advanced特性,如載波聚合和MIMO,使MD8430A理想溶液在幫助芯片設(shè)計(jì)者構(gòu)建下一代高性能移動(dòng)設(shè)備。除了在RF測(cè)試設(shè)備連接,枯干的MD8430A選項(xiàng)還支持slow-clock數(shù)字接口來(lái)驗(yàn)證開(kāi)始前在仿真環(huán)境中昂貴的ASIC設(shè)計(jì)生產(chǎn)。
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