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甘MACOM擴(kuò)大投資組合與寬帶功率晶體管
M / com技術(shù)解決方案已經(jīng)宣布新NPT2024 dc - 2.7 GHz的寬帶晶體管優(yōu)化操作在硅上使用MACOM專有的氮化鎵(GaN Si)的過程,現(xiàn)在是抽樣。NPT2024支持連續(xù)波,脈沖和線性操作,擁有多達(dá)200 W輸出水平。
為客戶提供50 V操作,16 dB的增益和60%排水效率在1500兆赫,這100%射頻測(cè)試HEMT晶體管d模式下有一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料包螺栓法蘭。NPT2024適合國防通信,陸地移動(dòng)無線電、航空電子設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、供應(yīng)管理協(xié)會(huì)(ISM)應(yīng)用程序和UHF / l波段雷達(dá)。
“MACOM NPT2024補(bǔ)充我們的技術(shù)性能甘擴(kuò)大投資組合,提供廣泛的行業(yè)GaN提供高性能、增益、效率和可負(fù)擔(dān)性,”加里·洛佩斯說,高級(jí)產(chǎn)品總監(jiān),MACOM。
碳化硅交付性能,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手昂貴的氮化鎵(GaN原文如此)在體積預(yù)計(jì)生產(chǎn)成本低于現(xiàn)任LDMOS結(jié)構(gòu)技術(shù),第四代氮化鎵(GaN)Gen4定位打破最后的技術(shù)和商業(yè)壁壘主流GaN收養(yǎng)。
Gen4 GaN提供最高效率大于70%,19分貝增益調(diào)制信號(hào)在2.7 GHz,類似于氮化鎵在SiC技術(shù)和10多個(gè)百分點(diǎn)比LDMOS更大的效率。它還提供了功率密度LDMOS的四倍以上。
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