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可伸縮的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)程序加速客戶設(shè)計(jì)
Microsemi和模擬設(shè)備宣布了一種可伸縮的碳化硅驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于一系列Microsemi SiC MOSFET產(chǎn)品和模擬設(shè)備的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。
雙SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)程序參考設(shè)計(jì)提供了用戶友好的設(shè)計(jì)指南，使使用Microsemi SiC MOSFETs的客戶能夠更快地進(jìn)入市場(chǎng)，并支持過(guò)渡到Microsemi的下一代SiC MOSFETs。
新的參考設(shè)計(jì)為客戶提供了一個(gè)高度隔離的SiC MOSFET雙柵驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)，為評(píng)估SiC MOSFETs在許多拓?fù)渲械男阅芴峁┝艘环N手段。這包括對(duì)具有同步死時(shí)間保護(hù)的半橋切換和無(wú)保護(hù)的異步信號(hào)傳輸進(jìn)行優(yōu)化的模式。它還可以配置為提供并發(fā)驅(qū)動(dòng)器，要求研究無(wú)鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS)或雙脈沖測(cè)試。該參考設(shè)計(jì)是為微半SiC MOSFET離散器件和模塊開(kāi)發(fā)的，并作為一個(gè)工程工具評(píng)估其SiC器件的組合。該板支持修改柵極電阻值，以適應(yīng)大多數(shù)微半導(dǎo)體元件和模塊。
Microsemi的戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Jason Chiang說(shuō):“雙SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)程序參考設(shè)計(jì)不僅能讓Microsemi客戶加速他們的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，還能適應(yīng)我們下一代SiC MOSFET的推出，以確保最終用戶平穩(wěn)過(guò)渡。”“在電力電子設(shè)計(jì)方面采取全局性觀點(diǎn)的客戶可以利用我們新的SiC驅(qū)動(dòng)程序解決方案來(lái)為他們的設(shè)計(jì)選擇最佳的驅(qū)動(dòng)程序和組件，并能夠根據(jù)他們特定的SiC MOSFET需求進(jìn)行擴(kuò)展。”
雙重SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)程序參考設(shè)計(jì)非常適合廣泛的終端市場(chǎng)和應(yīng)用程序,包括航空航天(驅(qū)動(dòng)、空調(diào)、配電)、汽車(chē)(混合動(dòng)力/電動(dòng)車(chē)輛動(dòng)力系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)電池充電器、DC-to-DC轉(zhuǎn)換器,和能量回收),國(guó)防(電源和大功率電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng))、工業(yè)(光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、焊接、不間斷電源、開(kāi)關(guān)電源、感應(yīng)加熱和石油鉆井)和醫(yī)療(MRI和x光電源)。
作為加速生態(tài)系統(tǒng)的一部分，模擬設(shè)備與Microsemi合作，旨在為終端客戶縮短市場(chǎng)時(shí)間，為生態(tài)系統(tǒng)參與者縮短收入時(shí)間。Microsemi的加速生態(tài)系統(tǒng)匯集了硅、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、系統(tǒng)、軟件和設(shè)計(jì)專(zhuān)家，為最終客戶提供經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的董事會(huì)和系統(tǒng)級(jí)解決方案。
SiC產(chǎn)品提供了許多優(yōu)勢(shì)，包括提高系統(tǒng)效率，在相同的物理尺寸下提高25- 50%的功率輸出，在絕緣柵比皮拉晶體管(IGBTs)上提高開(kāi)關(guān)頻率的效率，降低系統(tǒng)尺寸和重量，在溫度(+175攝氏度)下運(yùn)行穩(wěn)定性和顯著的冷卻成本節(jié)約。
市場(chǎng)研究公司Yole development ement預(yù)計(jì)，SiC電力市場(chǎng)在2021年將超過(guò)5.5億美元，2015-2021年復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為19%。該公司還描述了SiC的好處如何影響新產(chǎn)品和SiC技術(shù)的發(fā)展。Microsemi很好地適應(yīng)了這些趨勢(shì)，其SiC MOSFETs比傳統(tǒng)的硅功率MOSFETs提供了優(yōu)越的動(dòng)態(tài)和熱性能。在Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)程序參考設(shè)計(jì)中加入模擬設(shè)備ADuM4135隔離SiC驅(qū)動(dòng)程序解決方案，進(jìn)一步增強(qiáng)了公司滿足客戶產(chǎn)品開(kāi)發(fā)需求的能力。
模擬設(shè)備的隔離柵極驅(qū)動(dòng)具有DESAT和許多其他保護(hù)特性，提供了強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)能力(6A)，并具有魯棒的電氣隔離，這對(duì)于高電壓功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的長(zhǎng)壽命和安全運(yùn)行至關(guān)重要。與使用光電耦合器或脈沖變壓器的設(shè)計(jì)相比，該公司的隔離柵驅(qū)動(dòng)程序組合提供了設(shè)計(jì)人員的性能和可靠性優(yōu)勢(shì)。利用模擬設(shè)備的經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的iCoupler技術(shù)，隔離柵驅(qū)動(dòng)器系列在寬頻帶隙設(shè)備，特別是SiC MOSFETS的高電壓和高開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用中提供了許多關(guān)鍵的好處。其中包括優(yōu)于50 ns的優(yōu)越傳播延遲，小于5ns的通道對(duì)通道匹配，比>100KV/us的普通模式瞬態(tài)免疫(CMTI)，以及在單個(gè)包中支持高達(dá)1500V DC的壽命工作電壓的能力。
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