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TI揭示信封跟蹤芯片為LTE
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2013/10/16 0:40:16 閱讀:

TI揭示信封跟蹤芯片為LTE

 

德州儀器已經(jīng)公布了第一個信封追蹤芯片,描述為“行業(yè)最有效的包絡跟蹤電源解決方案來支持3 g和4 g LTE多模、多波段射頻功率放大器用于智能手機和平板電腦”。

包絡跟蹤,開創(chuàng)了由英國Nujira,提高效率至關重要的射頻前端在多頻帶4 g LTE通信。

TI聲稱其LM3290降壓轉換器與集成直流提升和同伴LM3291線性放大器將削減功率放大器溫度20攝氏度,減少一些總耗電量的25%,相比之下,系統(tǒng)使用平均功率跟蹤。

芯片組的承諾來管理所有3 g和4 g LTE 20 MHz帶寬和電池電壓2.5 V的5 V。

集成直流提升轉換器在LM3290還承諾提供的最大傳輸功率-支持更高的數(shù)據(jù)速率較低的LTE甚至電池電壓水平。

接口是MIPI eTrak模擬差動前端界面跟蹤和一個1.8 v的信封RFFE MIPI數(shù)字接口。

該設備也允許“無縫”之間的過渡包絡跟蹤和平均功率跟蹤操作模式。

這個LM3290和LM3291支持最小帶寬的75 MHz,TI則稱其在使用包絡跟蹤、產(chǎn)業(yè)界首次提供高精度和良好的相鄰信道泄漏率和噪聲性能。

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